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11月(yue)20日消息，近日，專注于半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)激光領域(yu)的初創公司晶飛(fei)(fei)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)，宣布(bu)已(yi)于2023年9月(yue)中(zhong)(zhong)旬成功完(wan)成了數千萬(wan)元的天(tian)使輪融資。晶飛(fei)(fei)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)本次融資由(you)無(wu)限基金See Fund領投，德(de)聯(lian)資本和(he)中(zhong)(zhong)科神光跟(gen)投。

本輪融資(zi)為(wei)(wei)晶(jing)飛半導(dao)體(ti)注入了強大的資(zi)本支(zhi)持，所(suo)獲資(zi)金將(jiang)主要應用于公司(si)產品迭代與更(geng)(geng)新，積極響(xiang)應行業需求，通過技術創新提供更(geng)(geng)先進、更(geng)(geng)經濟的解(jie)決(jue)方(fang)案，推(tui)動中(zhong)國半導(dao)體(ti)產業的發展(zhan)，乃(nai)至為(wei)(wei)全球半導(dao)體(ti)技術的進步貢獻重要力量。

晶飛半(ban)(ban)導體成(cheng)立于(yu)(yu)2023年(nian)7月，專(zhuan)注于(yu)(yu)激光(guang)垂直剝(bo)離(li)技術研(yan)究(jiu)，旨在實現對第三(san)代半(ban)(ban)導體材料的(de)精準剝(bo)離(li)，以有效(xiao)降低碳(tan)化(hua)硅襯底的(de)生產成(cheng)本(ben)。在6英寸和8英寸碳(tan)化(hua)硅襯底激光(guang)垂直剝(bo)離(li)技術的(de)研(yan)發(fa)方面，公司近(jin)5年(nian)連續獲得“北京市(shi)科技計劃項目”支持，并正與(yu)國內頭部的(de)襯底企業展開合作工(gong)藝(yi)開發(fa)。

公司的技術源自中科院(yuan)半(ban)導(dao)體所的科技成(cheng)果(guo)轉化(hua)，創(chuang)始團隊深耕于激光精細微加(jia)工(gong)領域，利用超快(kuai)激光技術，為各種超薄、超硬、脆性材料提供(gong)激光解決方案(an)，積極推動激光精細加(jia)工(gong)在制造業的國產化(hua)和(he)傳統工(gong)藝(yi)替代。

相較于傳統(tong)金(jin)剛(gang)線切割(ge)工(gong)藝，激光垂直(zhi)剝離(li)技術(shu)可完成高(gao)效、精準的材料剝離(li)，同(tong)時(shi)減(jian)少了碳化硅晶圓的損傷，從而解決(jue)了加工(gong)速度低、損耗(hao)大(da)、成本(ben)高(gao)等問題。

目前晶飛半導體的第一代樣機(ji)已完成組裝與調(diao)試，正(zheng)在(zai)與頭部企業(ye)客(ke)(ke)戶(hu)進(jin)行合作驗證和工(gong)藝開發(fa)。產品在(zai)工(gong)藝與設備的穩定一致(zhi)性達到客(ke)(ke)戶(hu)要(yao)求(qiu)后即可完成客(ke)(ke)戶(hu)端產線部署的商(shang)業(ye)化(hua)進(jin)程，本輪融資正(zheng)是在(zai)商(shang)業(ye)化(hua)節點上提供重要(yao)助力。

加上晶飛半導體(ti)團隊此前已經做了(le)大(da)(da)量的(de)(de)知識產權儲(chu)備，使公(gong)司能(neng)夠在(zai)多(duo)個(ge)領(ling)域提供(gong)創新(xin)解(jie)決(jue)方案(an)，通過與客戶(hu)的(de)(de)緊密合作以確保他(ta)們夠充分(fen)利用公(gong)司的(de)(de)設備和(he)技術，讓公(gong)司的(de)(de)創新(xin)成果(guo)在(zai)半導體(ti)材料加工(gong)中具有巨大(da)(da)潛力，為客戶(hu)提供(gong)更(geng)高效、更(geng)精確的(de)(de)加工(gong)解(jie)決(jue)方案(an)。

晶飛(fei)半導體本(ben)(ben)次投資跟投方德聯資本(ben)(ben)投資經(jing)理(li)(li)康(kang)乾熙認為，新(xin)能源革(ge)命的(de)大背(bei)景下，碳化(hua)(hua)硅功(gong)率器件(jian)市場潛力巨大，但成本(ben)(ben)是制約其滲透率的(de)關鍵因素(su)。在(zai)器件(jian)層面(mian)，碳化(hua)(hua)硅襯底(di)成本(ben)(ben)占比(bi)高達47%，且(qie)由于其材料(liao)物理(li)(li)特性(xing)，在(zai)切片(pian)環節中近一半的(de)材質被無謂損(sun)耗；激光剝片(pian)這一新(xin)技術(shu)的(de)出(chu)現(xian)可以顯著降(jiang)低(di)襯底(di)成本(ben)(ben)，是推動(dong)碳化(hua)(hua)硅器件(jian)滲透的(de)重(zhong)要手段。