49368 車企,紛紛押注功率半導體

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車企,紛紛押注功率半導體
2023/12/19
對車企而言,斥巨資布局車芯產業鏈,已是家常便飯。特別是近幾年經歷“缺芯”折磨,車企的布局力度更加不遺余力。其中,汽車功率半導體成為了加碼重心。
本文來自于微信公眾號“半導體行業觀察”(ID:icbank),作者: L晨光,投融界經授權發布。

吉利旗下晶能微(wei)電子晶圓制(zhi)造(zao)及SiC模塊制(zhi)造(zao)項目開建

廣汽(qi)中車合資IGBT項目青藍半導體投產

理(li)想汽車目前正在新加坡組(zu)建團隊,從(cong)事SiC功率芯(xin)片的研(yan)發

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近年,隨著(zhu)新能源汽車對功率(lv)半導體(ti)需求的增加,各車企都在紛紛發力功率(lv)半導體(ti)。

對(dui)車(che)企(qi)而言,斥巨資布局車(che)芯產業鏈,已是(shi)家常便飯。特(te)別是(shi)近幾年經歷“缺芯”折磨,車(che)企(qi)的布局力(li)(li)度(du)更加不遺余力(li)(li)。其(qi)中,汽車(che)功率半(ban)導體成為了加碼重心。

功率半導體市場,水漲船高

功率(lv)半(ban)導體是(shi)電(dian)力(li)電(dian)子設備實現(xian)電(dian)力(li)轉換(huan)和(he)電(dian)路控(kong)制(zhi)的(de)核心(xin)元器件,主(zhu)要用(yong)來對(dui)電(dian)力(li)進行轉換(huan)、控(kong)制(zhi),用(yong)于改(gai)變電(dian)子裝置中的(de)電(dian)壓和(he)頻(pin)率(lv)、直(zhi)流(liu)交(jiao)流(liu)轉換(huan)等,涉及(ji)電(dian)動汽(qi)車的(de)驅動效率(lv)、充(chong)電(dian)速度以(yi)及(ji)續(xu)航里程等多方面性能(neng),是(shi)電(dian)動汽(qi)車三電(dian)系(xi)統的(de)核心(xin)部件。

當前,汽車“新(xin)四化”變(bian)革狂飆突進,對車規級功(gong)率(lv)器件(jian)的需(xu)求逐漸向(xiang)IGBT、SiC MOSFET等(deng)高價值量(liang)(liang)高功(gong)率(lv)器件(jian)靠攏,也推動(dong)著各種DC-DC模塊、電機控制系統(tong)、電池管理系統(tong)、高壓電路等(deng)部(bu)件(jian)需(xu)求量(liang)(liang)急(ji)劇攀升(sheng),功(gong)率(lv)半導體需(xu)求量(liang)(liang)水(shui)漲船(chuan)高。

車企,紛紛押注功率半導體

新(xin)能(neng)源汽車(che)動(dong)力(li)總成的簡(jian)化示意圖

(圖源:Amoker)

據Strategy Analytics數據統(tong)計,相較傳統(tong)燃油車(che),純電(dian)動車(che)型中的功率半(ban)導體使用量(liang)大(da)幅提(ti)升(sheng),價值占比約(yue)為55%。2022年(nian)新(xin)能(neng)源汽車(che)的單(dan)車(che)功率半(ban)導體價值量(liang)達458.7美元(yuan),約(yue)為傳統(tong)燃油車(che)的5倍。

在眾多(duo)被新(xin)能(neng)源汽(qi)車(che)帶(dai)動(dong)的半(ban)導體產品(pin)中,汽(qi)車(che)功率器件(jian)市場成為受益(yi)最大的賽道之一。受量價齊(qi)升帶(dai)動(dong),汽(qi)車(che)領域功率半(ban)導體市場份額逐年提高,目前占比已(yi)經達到35%,金額約為160億美(mei)元。

其中,受益于其下游電動車和新(xin)能源(yuan)的(de)(de)(de)有利的(de)(de)(de)增長(chang)前景,瑞銀表(biao)示,2023-2025年中國功率半(ban)導體公司的(de)(de)(de)收入或以(yi)全球市場(chang)兩到三倍(bei)的(de)(de)(de)速(su)度增長(chang)。

市場需求陡升之余(yu),上一輪(lun)車(che)用芯片的短缺危機,突顯出車(che)企對半導體的依賴程度(du)。其中,作為最大的增量(liang)(liang)產品(pin),功率半導體正迎來“量(liang)(liang)價(jia)齊升”的快速發展(zhan)階段(duan)。

在其重要性愈發(fa)凸(tu)顯趨勢(shi)下(xia),車企(qi)的布局重心也逐漸向功(gong)率半導體領域(yu)傾(qing)斜。

車企們,蜂擁而上

大概從2020年至今,車企(qi)布局功(gong)率半(ban)導(dao)體(ti),逐漸成為一(yi)股越來(lai)越強(qiang)勁的浪潮。

綜(zong)合(he)各家對(dui)于芯片研發(fa)需求和(he)資(zi)源選擇方式,可以看到當前車(che)企的(de)入局(ju)模(mo)式主要(yao)分為(wei)三種:自研、合(he)資(zi)/聯合(he)研發(fa)和(he)戰略投(tou)資(zi)。

車企(qi)自研

縱觀行(xing)業發(fa)展(zhan)現狀,由于車規級功率半(ban)導體(ti)是(shi)一個高技術(shu)壁壘的(de)領域,對可靠性(xing)、安(an)全性(xing)等要求極(ji)為苛刻,而國(guo)內發(fa)展(zhan)起步較晚(wan),汽車行(xing)業供應鏈又相對封閉,長期(qi)以來(lai),英飛凌(ling)、安(an)森美、意法半(ban)導體(ti)、三菱電機等歐(ou)美日大廠憑借多年的(de)技術(shu)積(ji)累和先(xian)進的(de)制(zhi)造能(neng)力占據了市場主導地位。

在這(zhe)樣(yang)的背景下,也就意味著國內車企要想實現對功率半導體核心技術(shu)的自主掌控,現階段難(nan)度較大,是一條漫漫“長征”之路。

長(chang)周期、高研(yan)發成本的投入需要企業持續不(bu)斷的輸血,加上(shang)后續的上(shang)車驗證、放量以及回報率問題也存在(zai)不(bu)確定性,因而選(xuan)擇自研(yan)功率半導體模(mo)式的車企相對較(jiao)少。

在此,比亞迪是“先行者(zhe)”。

比亞(ya)迪半導體

早(zao)在2005年(nian),比亞迪(di)旗(qi)下(xia)的比亞迪(di)半(ban)導體(ti)便(bian)開啟了IGBT自研之路(lu)。

回顧其(qi)發展歷程,2007年(nian)(nian),比亞迪半(ban)導體建立(li)IGBT模(mo)塊生產線,2009年(nian)(nian)完成(cheng)首款(kuan)車規(gui)級(ji)IGBT芯片開發,2018 年(nian)(nian)底發布車規(gui)級(ji)領(ling)域(yu)具有標桿(gan)性意義的(de)IGBT 4.0技(ji)術,2021年(nian)(nian)基于高密度Trench FS的(de)IGBT 5.0技(ji)術實(shi)現量產。

比亞迪已擁有(you)全產業鏈IDM模(mo)式(shi)的運營能力(li)。目前在IGBT模(mo)塊領域,比亞迪半(ban)導體也已站到(dao)國內頭(tou)部(bu)位置。IGBT模(mo)塊市場(chang)占有(you)率達19%,僅次(ci)于英飛凌(ling)。

除了(le)IGBT,比亞迪半導體在MCU芯片領域也有很強的話(hua)語權。此外,其還(huan)實現了(le)SiC器件、IPM、CMOS圖像(xiang)傳感器、電磁傳感器、LED光(guang)源(yuan)及顯(xian)示等產(chan)品量產(chan)。

基于此(ci),在(zai)整個車市備受“缺芯”折磨(mo)的疫情三(san)年期間,這些競爭優勢(shi)助推比亞迪一(yi)路逆(ni)風(feng)而起,新(xin)能源汽車銷量屢(lv)創(chuang)新(xin)高。

有(you)業內人士直言,比(bi)亞迪之所以能(neng)夠(gou)一枝獨(du)秀,關鍵就在于其(qi)擁有(you)IGBT全產業鏈(lian)IDM模式運營能(neng)力,其(qi)搭建了從(cong)芯片設(she)計(ji)、晶(jing)圓制造、模塊設(she)計(ji)和整(zheng)車應用的(de)全產業鏈(lian)。

前不久,位于(yu)紹興濱海新區(qu)的比亞(ya)迪半導體功率器(qi)(qi)件(jian)和傳感控制器(qi)(qi)件(jian)研發及產業化項目(mu)一期(qi)竣工。

據(ju)了解,該(gai)項(xiang)目總投資(zi)100億元,用地417畝(mu),項(xiang)目建設年(nian)(nian)產(chan)72萬片功(gong)率(lv)(lv)器件(jian)產(chan)品和年(nian)(nian)產(chan)60億套光微電(dian)子產(chan)品生產(chan)線,達產(chan)后(hou)可(ke)實現年(nian)(nian)產(chan)值(zhi)150億元。一期(qi)項(xiang)目研發生產(chan)的(de)功(gong)率(lv)(lv)器件(jian)、傳感控(kong)制器件(jian),均(jun)為(wei)新能源汽車(che)核心器件(jian)。

相較于其汽車(che)銷量一(yi)路(lu)扶搖直上(shang),比(bi)亞(ya)迪(di)半導體的IPO之路(lu)卻盡顯曲折,多(duo)次(ci)IPO“被中止(zhi)”。不(bu)(bu)過,在(zai)今(jin)年(nian)3月的業績會上(shang),比(bi)亞(ya)迪(di)董事(shi)長王傳福再次(ci)表態,“比(bi)亞(ya)迪(di)半導體上(shang)市計劃(hua)不(bu)(bu)變,只是進程上(shang)有一(yi)些調整”。

事(shi)實上(shang)(shang),上(shang)(shang)市募資(zi)投建功(gong)率(lv)半導體(ti),本就是比亞迪計劃之一。據(ju)此(ci)前規劃,比亞迪半導體(ti)上(shang)(shang)市將募集26.86億元(yuan),其中3.12億元(yuan)將用于新(xin)型功(gong)率(lv)半導體(ti)芯片產業(ye)化及升級項(xiang)目(mu),20.74億元(yuan)用于功(gong)率(lv)半導體(ti)和智能控制(zhi)器件研(yan)發及產業(ye)化項(xiang)目(mu),3億元(yuan)用于補充流動資(zi)金。

另(ling)外,面對新(xin)能(neng)源汽車行業的持(chi)續(xu)增(zeng)長,新(xin)增(zeng)晶(jing)圓(yuan)產(chan)能(neng)仍遠不能(neng)滿足下(xia)游需求。為盡快提升(sheng)產(chan)能(neng)供給能(neng)力(li)和自主可控能(neng)力(li),比亞(ya)迪(di)半導體(ti)擬搶抓時(shi)間窗口,開(kai)展大規模晶(jing)圓(yuan)產(chan)能(neng)投資(zi)建(jian)設。為擴大晶(jing)圓(yuan)產(chan)能(neng),比亞(ya)迪(di)半導體(ti)上市在(zai)審期間還投資(zi)約(yue)49億元實施濟南功率半導體(ti)產(chan)能(neng)建(jian)設項目(mu)(mu)。目(mu)(mu)前該項目(mu)(mu)已(yi)建(jian)成投產(chan),產(chan)能(neng)爬坡順利,滿產(chan)狀態產(chan)能(neng)達(da)到3萬片(pian)/月,預計會對比亞(ya)迪(di)半導體(ti)未(wei)來資(zi)產(chan)和業務結構產(chan)生(sheng)較(jiao)大影(ying)響。

吉利-晶能微電子

基于(yu)比(bi)亞迪(di)這一“楷模”在前,其(qi)他車企也開始爭先效仿。

吉利去年6月也已(yi)經孵化了自己的(de)功率半導體公(gong)司(si)——晶(jing)能微(wei)電子,專(zhuan)注于新能源領域的(de)芯(xin)(xin)片設(she)計與(yu)模塊創(chuang)新,擁有芯(xin)(xin)片設(she)計、模塊制造、車規認(ren)證能力(li),能夠開發車規級IGBT芯(xin)(xin)片及模塊、SiC器(qi)件、中低壓MOSFET等(deng)產品(pin)。

今年3月,晶能微(wei)電子自主(zhu)設計研(yan)發的(de)首款車規級IGBT產(chan)品(pin)成(cheng)功流(liu)片,該(gai)款IGBT芯片采用第七代(dai)微(wei)溝槽柵和場截(jie)止技術(shu),通過優化表面結構和FS結構,兼具短(duan)路耐受同時實現更低的(de)開(kai)關損耗,功率密度增大約35%。

6月,該公(gong)司還宣布完成第二輪(lun)融資,強調(diao)將按既定目(mu)標,扎實推進功率半導(dao)體(ti)的設計(ji)研發、模(mo)塊制(zhi)(zhi)造和(he)上車應用。今年9月,晶能微電子再次(ci)宣布,首(shou)款SiC半橋模(mo)塊試制(zhi)(zhi)成功。

近日,嘉興市(shi)政府網披露了晶(jing)(jing)能(neng)微(wei)電(dian)子(zi)科技生(sheng)產(chan)(chan)基地項(xiang)目(mu)對(dui)外招(zhao)標的信息,項(xiang)目(mu)進(jin)入建(jian)設(she)階段。據悉,該項(xiang)目(mu)總投(tou)資50億元,分兩(liang)期建(jian)設(she)。其中,一(yi)(yi)期建(jian)設(she)內(nei)(nei)容為6英寸(cun)晶(jing)(jing)圓制(zhi)造(zao)項(xiang)目(mu)及汽車SiC模塊(kuai)制(zhi)造(zao)生(sheng)產(chan)(chan)和研發基地。6英寸(cun)晶(jing)(jing)圓制(zhi)造(zao)項(xiang)目(mu)主要(yao)建(jian)設(she)內(nei)(nei)容為投(tou)資建(jian)設(she)月產(chan)(chan)4萬(wan)(wan)片的6英寸(cun)硅(gui)基晶(jing)(jing)圓生(sheng)產(chan)(chan)線及相(xiang)(xiang)關(guan)(guan)配(pei)套;SiC模塊(kuai)制(zhi)造(zao)項(xiang)目(mu)主要(yao)建(jian)設(she)內(nei)(nei)容為投(tou)資建(jian)設(she)年產(chan)(chan)60萬(wan)(wan)套SiC模塊(kuai)制(zhi)造(zao)生(sheng)產(chan)(chan)線及相(xiang)(xiang)關(guan)(guan)配(pei)套。一(yi)(yi)期項(xiang)目(mu)建(jian)設(she)完成(cheng)之(zhi)后,晶(jing)(jing)能(neng)微(wei)還將繼續在二(er)期項(xiang)目(mu)當中擴產(chan)(chan)。二(er)期將主要(yao)投(tou)資建(jian)設(she)年產(chan)(chan)180萬(wan)(wan)套SiC塑封半橋模塊(kuai)制(zhi)造(zao)生(sheng)產(chan)(chan)線及相(xiang)(xiang)關(guan)(guan)配(pei)套,繼續豐富碳化硅(gui)模組產(chan)(chan)品供應(ying)類(lei)型(xing)。

除了(le)嘉興項目(mu),晶能微在產能方面(mian)今年以來多點布局(ju)。5月26日,晶能微電子與溫嶺(ling)開發區簽訂(ding)項目(mu)合作協議(yi),計劃投資建(jian)設車(che)規級半導體封(feng)測基地。

長城汽車-芯動半導體(ti)

想(xiang)要自研功(gong)率半導(dao)體的還(huan)有(you)長城汽車,去年(nian)11月長城設(she)立(li)的芯動(dong)半導(dao)體第三代(dai)半導(dao)體模(mo)組(zu)封測項目也已于今年(nian)2月在無錫動(dong)工,規劃車規級模(mo)組(zu)年(nian)產能120萬套,產品(pin)涵蓋(gai)功(gong)率半導(dao)體模(mo)塊、分立(li)器件等(deng),預計在今年(nian)9月具備設(she)備全面(mian)入(ru)廠條件。

目(mu)前,芯(xin)動半導(dao)體以車規級功率半導(dao)體為起點,在(zai)產品方面(mian)取得了諸多進展。

今(jin)年(nian)6月(yue)(yue),芯動(dong)(dong)(dong)半(ban)導(dao)(dao)體750V/820A IGBT功率(lv)模(mo)塊通過車(che)規級AQG324認證;今(jin)年(nian)7月(yue)(yue),完成25項電驅動(dong)(dong)(dong)試驗(yan);今(jin)年(nian)8月(yue)(yue),芯動(dong)(dong)(dong)半(ban)導(dao)(dao)體首(shou)批 750V/820A IGBT功率(lv)模(mo)塊裝機(ji)成功,并通過嚴格的下線測試,首(shou)批產品順利交(jiao)付;今(jin)年(nian)11月(yue)(yue),芯動(dong)(dong)(dong)半(ban)導(dao)(dao)體自主研發(fa)的GFM平臺(tai) 750V/820A IGBT功率(lv)模(mo)塊順利裝車(che),首(shou)次實(shi)現在新能源汽(qi)車(che)主驅控制器(qi)中(zhong)的規模(mo)化(hua)應(ying)用。

項目方(fang)面,今(jin)年(nian)年(nian)初,芯(xin)動第(di)三代半導(dao)體模(mo)組封測項目在無(wu)錫奠基(ji);8月,無(wu)錫制造基(ji)地(di)首批(pi)封測設備(bei)順利進廠(chang),芯(xin)動第(di)三代半導(dao)體模(mo)組封測項目主體封頂;今(jin)年(nian)10月,產(chan)線全面通線,采(cai)用國際領先(xian)的生產(chan)設備(bei);預(yu)計12月底正式投入量產(chan)。

12月(yue)1日(ri),芯動半(ban)導體與(yu)博(bo)世汽車電(dian)子(zi)在上海(hai)簽署(shu)了長期訂單合作協議。

據透露,本(ben)次合作聚(ju)(ju)焦SiC業(ye)務,將(jiang)(jiang)進(jin)一步助力芯動(dong)半導(dao)(dao)體SiC業(ye)務穩(wen)步發展。同時,也將(jiang)(jiang)促進(jin)芯動(dong)半導(dao)(dao)體形成更加集(ji)聚(ju)(ju)的發展格局(ju),進(jin)一步推動(dong)產(chan)業(ye)鏈融(rong)合。

奇瑞(rui)-瑞(rui)迪微電子

奇瑞汽車也早在4年前就開始啟動了IGBT生產(chan)鏈,成(cheng)立瑞迪微電子公司,從事(shi)IGBT模(mo)塊(kuai)及(ji)碳化硅MOS/SBD芯片(pian)的研(yan)發、封測和銷(xiao)售(shou)。

據悉(xi),該項目總投資8億元(yuan)人民幣(bi),一期投資3億元(yuan)人民幣(bi),建(jian)設高度自動化(hua)、智能(neng)(neng)化(hua)的IGBT模塊封測生產(chan)線,建(jian)成后(hou)年產(chan)能(neng)(neng)150萬只(zhi)新能(neng)(neng)源(yuan)汽車IGBT模塊,年配(pei)套(tao)(tao)60萬臺新能(neng)(neng)源(yuan)車;二(er)期擴建(jian)后(hou)年產(chan)能(neng)(neng)可配(pei)套(tao)(tao)200萬臺新能(neng)(neng)源(yuan)車。

同時在碳化(hua)硅器(qi)件(jian)領域,瑞迪微電子在去年已與奇瑞汽(qi)車平臺及外部驅動方案合(he)(he)作伙(huo)伴已展(zhan)開(kai)(kai)深度合(he)(he)作聯(lian)合(he)(he)開(kai)(kai)發(fa),今(jin)年已啟動導入(ru)驗證,其碳化(hua)硅模(mo)塊(kuai)將(jiang)首先進(jin)入(ru)奇瑞汽(qi)車供(gong)應鏈(lian),然后(hou)逐步開(kai)(kai)展(zhan)與其他(ta)車廠及系統廠商的合(he)(he)作,目前(qian)已準備投(tou)資規劃碳化(hua)硅模(mo)塊(kuai)產線。

車企攜手芯片廠聯合研發

車企自研縱然有諸多優(you)勢,但該模式的高技術壁壘(lei)和重(zhong)資金投入也是車企自研路上(shang)的絆腳石。對(dui)此,與(yu)相關(guan)公司(si)達成(cheng)(cheng)戰略(lve)合(he)(he)作或(huo)通(tong)過成(cheng)(cheng)立合(he)(he)資公司(si)采取聯合(he)(he)研發的方式入局,對(dui)車企來講也不失為一種(zhong)絕佳路徑。

該模(mo)式下,雙(shuang)方結合(he)自身資源和能力,實現優勢互補,從(cong)而取得最高(gao)的(de)效率和產品質(zhi)量,在(zai)汽(qi)車(che)賽道競爭白熱化的(de)今(jin)天,顯(xian)得尤(you)為(wei)重(zhong)要。同(tong)時對(dui)車(che)企(qi)來說整體的(de)風險也相對(dui)較小,已成為(wei)目前多數車(che)企(qi)的(de)選擇。

廣汽&;中車時(shi)代(dai):廣州(zhou)青藍半導體(ti)

12月(yue)5日,廣(guang)州青(qing)藍(lan)半(ban)導體(ti)有(you)限公司IGBT項目(一期)投(tou)產。

廣州青藍由廣汽部件與株洲(zhou)中車時代半導(dao)體于2022年共同(tong)投(tou)(tou)資成立,項(xiang)目計劃(hua)總(zong)投(tou)(tou)資4.63億元,主要圍繞(rao)新能源汽車自主IGBT領域開展技術研發(fa)和產(chan)業化應用(yong)。一期規(gui)(gui)劃(hua)產(chan)能為年產(chan)40萬只汽車IGBT模(mo)塊;二期規(gui)(gui)劃(hua)產(chan)能為年產(chan)40萬只汽車IGBT模(mo)塊,計劃(hua)2025年投(tou)(tou)產(chan)。項(xiang)目全部完成后,可實(shi)現總(zong)產(chan)能80萬只/年。

廣汽集團(tuan)近年來加(jia)(jia)快向汽車“新四(si)化”轉(zhuan)型,正以自研+合作并(bing)行的方式加(jia)(jia)快完善自身(shen)在新能源汽車關鍵零(ling)部件領域的研發與產業化布(bu)局。

此外(wai),在芯(xin)片(pian)領(ling)(ling)域(yu),已(yi)經聯(lian)合了粵芯(xin)半(ban)導體、地平線、宸境科技等芯(xin)片(pian)、智能網聯(lian)領(ling)(ling)域(yu)重點企(qi)業,助力供應鏈(lian)自(zi)主(zhu)可控以及產業鏈(lian)上下游協同,通過建鏈(lian)、補鏈(lian)、強鏈(lian),將進一步增強廣汽集團在新能源汽車領(ling)(ling)域(yu)的(de)綜(zong)合競(jing)爭力。

長(chang)安深藍汽車&;斯達(da)半導:重慶(qing)安達(da)半導體

今年6月,長安(an)旗下品牌深藍汽車與斯(si)達半導(dao)體(ti)組建了(le)一(yi)家全新(xin)合(he)資公(gong)司——“重慶安(an)達半導(dao)體(ti)有限公(gong)司”。雙方(fang)將圍繞車規級功率半導(dao)體(ti)模塊(kuai)開展合(he)作,共同推進下一(yi)代功率半導(dao)體(ti)在新(xin)能源汽車領域的商業化應用(yong)。

按照規劃(hua),深藍汽車(che)計(ji)劃(hua)在2025年前陸續推(tui)出共計(ji)6款產品,力爭五(wu)年內實現(xian)產銷突破100萬輛;而斯(si)達半導體是國內新能源汽車(che)大功(gong)率車(che)規級(ji)功(gong)率模塊的主要供應商,2022年斯(si)達半導體車(che)規級(ji)模塊配套超過120萬輛新能源汽車(che)。

雙方(fang)的合作,一方(fang)面(mian)(mian)將(jiang)增強深藍汽車的供應鏈垂直整(zheng)合能力,為深藍汽車達成(cheng)百萬級戰略銷量目標提供扎實支(zhi)撐;另(ling)一方(fang)面(mian)(mian)還將(jiang)加速雙方(fang)在“產研供需”方(fang)面(mian)(mian)的優勢互補,合力打造高(gao)品質產品。

理想汽車&;三安半導體:蘇州斯科半導體

2022年3月,理(li)想汽車關(guan)聯(lian)公司(si)車和(he)家(jia)擬與三安(an)半(ban)導體將成立合營企業蘇州斯科半(ban)導體,布(bu)局車用(yong)SiC芯(xin)片及模塊(kuai)市(shi)場。

去年(nian)8月,斯科(ke)半導體(ti)打造了理想汽車(che)功率半導體(ti)研發及生產(chan)基地,計(ji)劃2024年(nian)正式投產(chan)后預計(ji)產(chan)能將逐(zhu)步(bu)提升并最終達到240萬只碳化硅半橋功率模(mo)塊的年(nian)生產(chan)能力。

近(jin)日,理想汽車在招聘信息中(zhong)披露(lu),公(gong)司在新(xin)加坡成(cheng)立功率(lv)器件(jian)研發辦公(gong)室,目(mu)前公(gong)開多個(ge)技術崗(gang),包括SiC功率(lv)模塊(kuai)失效分析/物理分析專(zhuan)(zhuan)家、SiC功率(lv)模塊(kuai)工藝專(zhuan)(zhuan)家、SiC功率(lv)模塊(kuai)電(dian)氣(qi)設計專(zhuan)(zhuan)家和SiC功率(lv)模塊(kuai)設計專(zhuan)(zhuan)家。

這也(ye)意(yi)味著理(li)想正(zheng)在籌備自研碳化硅功(gong)率模(mo)塊(kuai),未來或可能建立(li)功(gong)率模(mo)塊(kuai)封(feng)測(ce)產線。

長(chang)城汽車(che)&;同光半導體(ti)

2021年12月,長城(cheng)(cheng)汽車(che)與(yu)第三(san)代(dai)半導體企業同光半導體公司簽署(shu)戰略協議,聚焦第三(san)代(dai)新型寬(kuan)禁帶半導體碳(tan)化(hua)硅在(zai)新能源汽車(che)產業的應用,推動碳(tan)化(hua)硅半導體材料(liao)與(yu)芯片的產業化(hua)。據悉,大(da)算力芯片和碳(tan)化(hua)硅等(deng)第三(san)代(dai)半導體關鍵(jian)核心(xin)技術領(ling)域(yu)是長城(cheng)(cheng)汽車(che)2025戰略中(zhong)重(zhong)點(dian)發展方向(xiang)之(zhi)一。

吉利&;芯聚能(neng)半(ban)導體(ti)、芯合科(ke)技:芯粵能(neng)半(ban)導體(ti)

2021年(nian)(nian)5月,吉(ji)(ji)利汽(qi)車子公司(si)吉(ji)(ji)利威睿與芯聚能半導(dao)(dao)體(ti)、芯合(he)科技(ji)合(he)資(zi)合(he)資(zi)成立(li)芯粵能半導(dao)(dao)體(ti),主要布局車規級功率(lv)半導(dao)(dao)體(ti)產品。該項目總投資(zi)75億元人民(min)幣,包含(han)一(yi)期規劃(hua)年(nian)(nian)產24萬片(pian)6英寸SiC晶圓芯片(pian),在2023年(nian)(nian)3月底產線已經試投產,計劃(hua)2024年(nian)(nian)12月底達產。

在(zai)一期達(da)(da)(da)產(chan)(chan)的同時,芯(xin)粵能會(hui)啟(qi)動二期項目,計(ji)劃(hua)年產(chan)(chan)24萬片(pian)8英寸SiC晶圓芯(xin)片(pian),預(yu)計(ji)2026年達(da)(da)(da)產(chan)(chan),并于同期啟(qi)動三期項目,計(ji)劃(hua)在(zai)2029年達(da)(da)(da)產(chan)(chan)。預(yu)計(ji)項目一期達(da)(da)(da)產(chan)(chan)年產(chan)(chan)值40億(yi)元,二期達(da)(da)(da)產(chan)(chan)后合計(ji)年產(chan)(chan)值將達(da)(da)(da)100億(yi)元。

此外(wai),在2023年初,吉利(li)科技宣(xuan)布與積塔半(ban)導(dao)(dao)體(ti)簽(qian)訂(ding)戰略合作協(xie)議(yi),雙方將(jiang)圍繞車規級芯(xin)片研發、制造、市(shi)場應用(yong)、人才培養等(deng)領域開展(zhan)全面合作,共同致(zhi)力于車規級芯(xin)片產(chan)業的協(xie)同發展(zhan),推(tui)動半(ban)導(dao)(dao)體(ti)關鍵技術的突(tu)破(po),建立成熟穩定的汽車半(ban)導(dao)(dao)體(ti)產(chan)業生(sheng)態。

此(ci)次合作(zuo),雙方將共建國內首(shou)家汽(qi)車(che)(che)電子共享(xiang)垂直整合制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)芯(xin)(xin)片(pian)聯(lian)盟,設立聯(lian)合實驗室,聚焦汽(qi)車(che)(che)電子MCU、功(gong)率器件、SoC、PMIC等芯(xin)(xin)片(pian)的(de)研究開(kai)發、工藝聯(lian)調、生產制(zhi)(zhi)程(cheng),致力(li)于車(che)(che)規可靠性測試及整車(che)(che)量產應(ying)用。同時,雙方著力(li)先進(jin)制(zhi)(zhi)程(cheng)能力(li)及人才(cai)隊伍(wu)培養(yang)打造(zao)(zao),保(bao)障車(che)(che)規級(ji)芯(xin)(xin)片(pian)供應(ying)鏈的(de)安全性和長(chang)期可持續性。

東風&;中(zhong)(zhong)國(guo)中(zhong)(zhong)車(che):智(zhi)新半導體

2019年,東風與(yu)中國(guo)中車組建“智新半導體”,擬投產以第六代(dai)IGBT技術為基(ji)礎的IGBT模(mo)塊,將(jiang)搭(da)載于(yu)東風風神、嵐圖等自主(zhu)品牌(pai)車型(xing)上。

智新半(ban)導(dao)體(ti)(ti)碳化(hua)硅功(gong)率模塊(kuai)在2021年(nian)1月立項,將從今年(nian)開始(shi)搭載東風(feng)自主新能(neng)源乘用車,實(shi)現(xian)量產。據悉,11月4日,智新半(ban)導(dao)體(ti)(ti)實(shi)現(xian)量產碳化(hua)硅功(gong)率半(ban)導(dao)體(ti)(ti)突破,東風(feng)首批采用納米銀燒(shao)結技術(shu)的自主碳化(hua)硅功(gong)率模塊(kuai),日前從智新半(ban)導(dao)體(ti)(ti)二期產線順利(li)下(xia)線,完成自主封裝、測試以(yi)及應用老化(hua)試驗。

據悉,該模塊能推動新能源(yuan)汽車(che)電氣架構從(cong)400V到800V的迭代,從(cong)而實現(xian)10分鐘充(chong)電80%,并進一步提升(sheng)車(che)輛續(xu)航里程,降(jiang)低整車(che)成(cheng)本。

此外(wai),東(dong)(dong)風(feng)汽車(che)總(zong)投(tou)資 2.8 億(yi)元的功(gong)率(lv)模(mo)(mo)塊(kuai)二期(qi)項(xiang)目也(ye)在加速推進中,該項(xiang)目一方面(mian)優化現(xian)有(you)產(chan)(chan)(chan)線,提(ti)高IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)產(chan)(chan)(chan)量,另一方面(mian)開辟兩條全新產(chan)(chan)(chan)線,按訂(ding)單需求生產(chan)(chan)(chan)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)及碳化硅功(gong)率(lv)模(mo)(mo)塊(kuai),到2025年,每(mei)年可為東(dong)(dong)風(feng)新能源汽車(che)生產(chan)(chan)(chan)提(ti)供約120萬(wan)只(zhi)功(gong)率(lv)模(mo)(mo)塊(kuai)。

一(yi)汽&;ACP、億馬(ma)先鋒

2019年(nian)3月,一汽(qi)與美國AC Propulsion公司、北(bei)京億馬先鋒汽(qi)車科技有限公司成立協(xie)同創新實驗室,開展碳化(hua)硅技術等研究(jiu)。

2021年,一汽與億馬半導體合資公司的碳化(hua)硅項目投(tou)產(chan),年產(chan)30萬(wan)個模(mo)塊。

上汽&;英飛凌(ling):上汽英飛凌(ling)

2018年3月,上汽(qi)和英飛凌成立(li)合資企業上汽(qi)英飛凌汽(qi)車(che)功率半導體(ti)(上海)有限公司,探(tan)索如何確保其碳化硅(gui)芯片供應途徑,包括與零組件制造商組建(jian)合資企業。

據上汽英(ying)飛(fei)凌(ling)官(guan)方消息,上汽英(ying)飛(fei)凌(ling)已建立了先進(jin)的自動化生產(chan)線,階段(duan)性地完成了第(di)(di)一代和第(di)(di)二(er)代產(chan)品的量產(chan),目(mu)前上汽新能源汽車(che)的核心部(bu)件IGBT功率半導(dao)體模塊由上汽英(ying)飛(fei)凌(ling)全力保障供(gong)給(gei)。

上(shang)汽(qi)(qi)(qi)英飛(fei)凌(ling)(ling)基于英飛(fei)凌(ling)(ling)產品支持,其(qi)HybridPACK Drive功(gong)率(lv)(lv)(lv)模塊采用英飛(fei)凌(ling)(ling)最先進(jin)的(de)(de)第7代IGBT/EDT2芯片和(he)(he)首創的(de)(de)模塊封裝技術,兼具高功(gong)率(lv)(lv)(lv)密度、低(di)能(neng)(neng)量損(sun)耗的(de)(de)特點,展現(xian)了超越(yue)普通汽(qi)(qi)(qi)車(che)(che)功(gong)率(lv)(lv)(lv)模塊30%以上(shang)的(de)(de)功(gong)率(lv)(lv)(lv)循(xun)環能(neng)(neng)力,成為不同功(gong)率(lv)(lv)(lv)等級的(de)(de)新能(neng)(neng)源電(dian)動(dong)汽(qi)(qi)(qi)車(che)(che)和(he)(he)混合動(dong)力汽(qi)(qi)(qi)車(che)(che)功(gong)率(lv)(lv)(lv)半(ban)導體的(de)(de)首選產品,截至目前,上(shang)汽(qi)(qi)(qi)英飛(fei)凌(ling)(ling)已累(lei)計(ji)完成了超過1百萬只IGBT功(gong)率(lv)(lv)(lv)模塊在中國市場的(de)(de)生(sheng)產與銷售。

戰略投資

除(chu)了自研和(he)成立合(he)資(zi)公司(si)之外,采用戰(zhan)略投資(zi)的模(mo)式入局(ju)功率半導體(ti)(ti)在(zai)汽(qi)車行業也已司(si)空見慣。此舉或(huo)(huo)是為擴充自己(ji)的投資(zi)版圖,或(huo)(huo)是為自己(ji)培養潛在(zai)供(gong)應商,總體(ti)(ti)上(shang)幾乎主流(liu)車企(qi)都已涉(she)足,通(tong)過(guo)戰(zhan)略合(he)作協議(yi)的簽(qian)署(shu),力推自身實現車規級IGBT、SiC MOSFET等相關產(chan)品(pin)的產(chan)業化。

瞻芯電(dian)子

以瞻芯電子為例(li),在其(qi)成立以來的7輪融資(zi)中,便有北汽產業投(tou)資(zi)、小米(mi)集團、廣汽資(zi)本、小鵬汽車、上汽投(tou)資(zi)等(deng)現身。去年2月,小鵬汽車更是獨家投(tou)資(zi)了該公司。

據悉,瞻芯(xin)電子(zi)是中國(guo)第一家自主開(kai)發并(bing)掌握6英(ying)寸(cun)SiC MOSFET產品以及工藝平臺的公司。這幾年陸(lu)續在(zai)車(che)規級高(gao)電壓、低電阻SiC MOSFET器件上的突破(po),圍繞以SiC應用為核心的Turn-key芯(xin)片方案供(gong)應商戰略(lve),穩步推進SiC IDM的戰略(lve)轉型,即將(jiang)打通從設(she)計(ji)到生(sheng)產的閉環(huan)。

芯聯動(dong)力

今年10月,中芯集成公告(gao)投(tou)資(zi)設立芯聯動力科(ke)技(ji)(紹興)有(you)限公司,聚焦車規級碳(tan)化硅(SiC)制造及模(mo)組(zu)封(feng)裝(zhuang)的一站(zhan)式(shi)系統解決(jue)方案。

據悉,芯(xin)聯(lian)動力集結了多家(jia)中(zhong)外新能源企業(ye)、車企以及半導體(ti)企業(ye),除中(zhong)心集成以外,還包括上汽集團(tuan)旗下(xia)的(de)(de)尚頎(qi)資(zi)(zi)本(ben)和恒(heng)旭資(zi)(zi)本(ben),小鵬汽車旗下(xia)的(de)(de)星航資(zi)(zi)本(ben),寧德時代旗下(xia)的(de)(de)晨道(dao)投資(zi)(zi),立(li)訊精密旗下(xia)的(de)(de)立(li)翎基金,博世旗下(xia)的(de)(de)博原資(zi)(zi)本(ben),陽光電源則(ze)是國內領先的(de)(de)光伏企業(ye)。

臻驅科技

今(jin)年9月,沃爾沃汽車科技(ji)基金(jin)投資臻驅科技(ji),將主要(yao)圍(wei)繞碳化硅功率模塊(kuai)及電控整(zheng)機的應用展(zhan)開深入研究。

飛锃(zeng)半(ban)導體

北(bei)(bei)(bei)汽集團也通過關聯企(qi)業深圳安鵬(peng)天使(shi)投資中心(有限合(he)伙)入股SiC功率器件研發商飛(fei)锃半導體。實際上,這并不是北(bei)(bei)(bei)汽集團第一次布(bu)局(ju)半導體。早在2018年,北(bei)(bei)(bei)汽集團旗(qi)下北(bei)(bei)(bei)汽新(xin)能(neng)源與(yu)羅姆半導體成(cheng)立聯合(he)實驗室;2019年,北(bei)(bei)(bei)汽集團與(yu)恩(en)智浦簽(qian)署戰略合(he)作;2020年,北(bei)(bei)(bei)汽產投與(yu)Imagination合(he)資發力車用半導體,同年北(bei)(bei)(bei)汽集團牽頭建設的(de)國創(chuang)中心在京發起“中國汽車芯片創(chuang)新(xin)聯盟”。

此外,聞泰(tai)科(ke)技、士蘭(lan)微、斯達半導(dao)、長晶科(ke)技、基(ji)本半導(dao)體等一大批功率(lv)半導(dao)體企業,已經獲(huo)得(de)了多(duo)個(ge)主機廠、一級供應商資本的支(zhi)持,正在尋求國產替代(dai)進(jin)程。

除了(le)直接投資功率半導體企業(ye)外,車企還在(zai)不斷圍(wei)繞產業(ye)鏈(lian)進行布局。

據不完全統計(ji),上汽、廣(guang)汽及小鵬(peng)等(deng)車企投資公司還參與了(le)天岳(yue)先(xian)(xian)進(jin)戰略配售。天岳(yue)先(xian)(xian)進(jin)是國內(nei)半絕(jue)緣(yuan)型 SiC 襯底(di)龍頭,計(ji)劃建設年產 30 萬片導電型 SiC 襯底(di)。

長城(cheng)汽車入股同光(guang)(guang)股份(fen),布局SiC襯(chen)底材(cai)料。同光(guang)(guang)股份(fen)是(shi)河北省首家能(neng)夠量產SiC單(dan)(dan)晶(jing)襯(chen)底的新(xin)興產業企業,通過與(yu)(yu)中國科學院半導體所的合(he)作,致力(li)于SiC單(dan)(dan)晶(jing)材(cai)料與(yu)(yu)應用研究,該公司的SiC單(dan)(dan)晶(jing)襯(chen)底產品(pin)已涵蓋不(bu)同直徑(jing)和類型。

寫在最后

整體(ti)而言,汽(qi)車市場(chang)作(zuo)為包括SiC在內(nei)的功率半導(dao)體(ti)的最大應用領(ling)域,隨著新能(neng)源汽(qi)車賽道(dao)的爆發,市場(chang)進入(ru)蓬勃發展(zhan)的階段。再加上800V高壓(ya)平臺(tai)以及(ji)更多(duo)汽(qi)車電動化、智(zhi)能(neng)化熱潮(chao)“來襲”,車企與功率半導(dao)體(ti)廠(chang)商(shang)的合作(zuo)也將愈(yu)發緊密(mi)。

這也使得車企(qi)不(bu)可抑制的卷入到(dao)(dao)這場“旋渦”之中(zhong)。從上文(wen)也能看到(dao)(dao),在功率半導體(ti)的布(bu)局版圖中(zhong),幾乎能找到(dao)(dao)當前所有主流車企(qi)的身影。

綜合(he)來看,車(che)企無論是選擇(ze)自研,還(huan)是通過組建(jian)合(he)資(zi)公司、戰略(lve)投資(zi)等方式布(bu)局(ju)(ju)功(gong)(gong)率半(ban)導(dao)體領域,都能夠提(ti)(ti)升功(gong)(gong)率半(ban)導(dao)體供應的(de)穩定和高性價比,同(tong)時還(huan)能夠提(ti)(ti)早布(bu)局(ju)(ju)下一代功(gong)(gong)率半(ban)導(dao)體的(de)研發,在產(chan)業鏈(lian)環節獲取(qu)更多的(de)話語權和競爭優(you)勢。

進(jin)一步(bu)來說(shuo),整(zheng)個汽車(che)產(chan)業(ye)鏈也有望得到優化和完善(shan)。

尤其對(dui)于國內車(che)企(qi)而言(yan),功率半導(dao)體更(geng)是一(yi)個充滿機遇和(he)挑戰的賽道(dao),令車(che)企(qi)緊繃神經的同時,切不(bu)敢掉以輕心。

車企(qi) 功率 半(ban)導體
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