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三星和英特爾的日子這兩年都不太好過。

三星(xing)2023年(nian)(nian)(nian)財(cai)報(bao)中，該(gai)年(nian)(nian)(nian)營業(ye)利潤為6.54萬(wan)億韓(han)元，比上財(cai)年(nian)(nian)(nian)減少85%，利潤水(shui)平創下了15年(nian)(nian)(nian)來新低，尤其是三星(xing)的(de)半導體(ti)部門，雖然在第(di)四(si)季度虧損收窄，但2023年(nian)(nian)(nian)三星(xing)半導體(ti)業(ye)務全年(nian)(nian)(nian)虧損仍高(gao)達(da)14.88萬(wan)億韓(han)元，作為對比，2022年(nian)(nian)(nian)同期盈利23.82萬(wan)億韓(han)元，差距高(gao)達(da)近40萬(wan)億韓(han)元。

隔壁英特爾(er)也沒(mei)好到哪里去(qu)，英特爾(er)2023年營收為(wei)(wei)542.3億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)，較2022年的630.5億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)下跌14%，凈利潤(run)為(wei)(wei)16.89億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)，相較2022年的80.14億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)暴跌78.92%。

要(yao)知(zhi)道，三(san)星和英特爾在進入最近幾(ji)年(nian)，一直在半導體市場里爭著第(di)一和第(di)二(er)(er)的位置，兩(liang)位當了二(er)(er)十余年(nian)的霸主，如今卻好(hao)像走在一條下坡路上(shang)。

是半導體(ti)下行周(zhou)期使然，還是挑戰(zhan)者在撼(han)動(dong)它們曾(ceng)經牢(lao)不(bu)可破的城墻呢？還是半導體(ti)龍(long)頭這個位(wei)置已(yi)經被(bei)“詛(zu)咒”了？

AMD和英特爾

對于AMD來說，21世紀的(de)頭(tou)十年表現得喜憂參(can)半。

在AMD第二(er)任CEO魯毅智的(de)主導下(xia)，AMD選擇了(le)自研AMD64架(jia)構，并于(yu)2003年(nian)推出(chu)面向服(fu)務器(qi)和工作站的(de)Opteron (皓龍) 處(chu)理(li)器(qi)、面向臺(tai)式電(dian)腦和筆(bi)記簿電(dian)腦的(de)AMD速(su)龍64處(chu)理(li)器(qi)以及(ji)提供影(ying)院級別計算性能(neng)的(de)速(su)龍64 FX處(chu)理(li)器(qi)，由于(yu)英特(te)爾在安騰(teng)（Itianium）架(jia)構的(de)判(pan)斷失誤，AMD一(yi)度在和英特(te)爾處(chu)理(li)器(qi)的(de)競(jing)爭中(zhong)占(zhan)得上風。

但也是在魯(lu)毅智的(de)主(zhu)導下，2006年，AMD宣布以(yi)54億(yi)美元(yuan)（以(yi)42億(yi)美元(yuan)現金和5700萬股AMD普通(tong)股）并購顯卡廠商ATI，AMD市值此時市值僅有88億(yi)美元(yuan)左右，為(wei)了(le)湊(cou)夠42億(yi)美元(yuan)現金，AMD還(huan)向摩(mo)根士丹利舉(ju)債借(jie)了(le)25億(yi)美元(yuan)，最(zui)終完成了(le)這筆龐(pang)大的(de)收購。

CPU+GPU的未來愿景看似美好，但勢單力(li)薄的AMD很快就遇到了大難(nan)(nan)題，一(yi)(yi)邊是(shi)英特爾，一(yi)(yi)邊是(shi)英偉達，兩(liang)線作戰的AMD根本無力(li)招(zhao)架(jia)來自這兩(liang)家(jia)的迅猛攻勢，變(bian)賣(mai)各種部門，出售晶圓廠， K10、推土機(ji)、打(da)樁機(ji)、壓(ya)路(lu)機(ji)，各類(lei)CPU架(jia)構層出不窮，但一(yi)(yi)直難(nan)(nan)有起色(se)。

AMD的(de)衰落(luo)，讓英特(te)爾(er)過上了(le)(le)好日子。2006年(nian)，AMD處(chu)理器(qi)(qi)在x86服(fu)務(wu)(wu)器(qi)(qi)市(shi)場(chang)(chang)的(de)份額曾(ceng)達25%，但到(dao)2014年(nian)，已縮減到(dao)不足(zu)3%，而英特(te)爾(er)此時幾乎壟斷了(le)(le)整個(ge)服(fu)務(wu)(wu)器(qi)(qi)市(shi)場(chang)(chang)。至(zhi)于消(xiao)費端(duan)，英特(te)爾(er)也占(zhan)據(ju)了(le)(le)移動(dong)電腦(nao)(nao)芯片(pian)90%的(de)市(shi)場(chang)(chang)份額，桌面電腦(nao)(nao)芯片(pian)83%的(de)市(shi)場(chang)(chang)份額。

從(cong)2007年(nian)到2016年(nian)這(zhe)十年(nian)時間，是英(ying)特爾大(da)把收錢(qian)的(de)(de)時期，不(bu)管是毛利(li)率(lv)(lv)還是凈(jing)利(li)率(lv)(lv)都高于(yu)英(ying)偉達與AMD，這(zhe)還是建立(li)在它的(de)(de)營收規模遠(yuan)大(da)于(yu)其他兩家的(de)(de)基礎之上的(de)(de)，雖(sui)然英(ying)特爾錯過了手機芯片的(de)(de)風(feng)口，但它似(si)乎光靠服務器(qi)和消費(fei)市場，就已經(jing)能高枕無(wu)憂。

2009年(nian)至2012 年(nian)，英(ying)特爾在CPU方面(mian)大發神(shen)威，基本上將AMD趕出了服(fu)務(wu)器市場，英(ying)特爾也因(yin)此獲得了巨(ju)大的(de)定價權和利潤權，OEM廠(chang)商們只能(neng)看英(ying)特爾的(de)臉色過活。

這種躺著(zhu)數(shu)錢的(de)(de)生活固然美好(hao)，但(dan)也(ye)帶來了(le)新的(de)(de)問題，一(yi)旦有具備(bei)優(you)勢的(de)(de)競(jing)爭對手出現，被英(ying)特爾(er)視(shi)為錢袋(dai)子(zi)的(de)(de)OEM就會轉(zhuan)投另一(yi)家廠商(shang)，這一(yi)伏(fu)筆(bi)早(zao)已埋下，即使英(ying)特爾(er)沒有犯下10nm和(he)7nm制程(cheng)工藝上的(de)(de)失誤，高達97%的(de)(de)服務器市場份額也(ye)不會保持更長時間。

2017年2月22日，AMD新任CEO蘇姿(zi)豐(feng)在發布會上公布了自(zi)K8時代之后最令人印象深刻的(de)處理器(qi)——銳(rui)龍，其(qi)中包括 1800X、1700X 和 1700三(san)款處理器(qi)，在消(xiao)費(fei)級市(shi)場(chang)打(da)響了第(di)一(yi)槍，雖然它們的(de)性(xing)能沒有完全趕上英特(te)爾，但卻有一(yi)個英特(te)爾無(wu)法比擬(ni)的(de)優點——便宜(yi)，相同定位(wei)的(de)銳(rui)龍只賣酷睿的(de)一(yi)半價格，試問又(you)有哪一(yi)位(wei)消(xiao)費(fei)者不會心(xin)動(dong)呢？

同樣的(de)情(qing)況出(chu)現在(zai)了服(fu)(fu)務器(qi)市(shi)場當中，AMD在(zai)2017年6月正式發布了面向服(fu)(fu)務器(qi)市(shi)場的(de)第一代(dai)EPYC（霄龍）處理器(qi)，憑借多核設計、PCIe 擴展選(xuan)項以及原(yuan)始內存帶寬等優勢，一掃此前在(zai)服(fu)(fu)務器(qi)市(shi)場的(de)陰霾(mai)。

相(xiang)較(jiao)于紙面上的(de)(de)(de)技(ji)術優(you)勢，主(zhu)要 OEM 廠商在展(zhan)會(hui)上對 AMD EPYC 的(de)(de)(de)堅定支持，才讓更多人意識到，服(fu)(fu)務器市場的(de)(de)(de)風向變(bian)了(le)。蘇姿(zi)豐在發布(bu)會(hui)上與(yu)惠普執行副總裁兼總經理 Antonio Neri 共同展(zhan)示了(le)基于EPYC的(de)(de)(de)新型(xing)惠普服(fu)(fu)務器以(yi)及與(yu)英特爾 Xeon 平臺相(xiang)比在云服(fu)(fu)務、軟件(jian)定義存儲和數據分析方面的(de)(de)(de)具體優(you)勢。

此外，戴爾(er)/EMC服(fu)務器(qi)總(zong)裁兼總(zong)經(jing)理 Ashley Gorakhpurwalla與AMD企(qi)業、嵌(qian)入式(shi)和半定制(zhi)部(bu)門(men)高級副總(zong)裁兼總(zong)經(jing)理 Forrest Norrod還共同推出(chu)了戴爾(er)/EMC PowerEdge 服(fu)務器(qi)，并展示了 AMD 的一(yi)些新安(an)全加密(mi)虛擬化技術(shu)，以及 EPYC 在戴爾(er)/EMC 第 14代PowerEdge 服(fu)務器(qi)中具有更高核心數(shu)和更靈活(huo)擴展選項的單插槽服(fu)務器(qi)優勢。

不僅是(shi)惠普和戴(dai)爾(er)，AMD還(huan)獲得(de)了獨立硬(ying)件和軟(ruan)件供應(ying)商的(de)支持，如(ru) SuperMicro、Xilinx、VMWare、Red Hat 和 Microsoft等也都(dou)紛紛加入其中，AMD從(cong)這場發布會開始，正式打響了服務器領域的(de)反擊(ji)戰。

對(dui)英特爾來說，這幾乎是一(yi)個死局，在先進制(zhi)程和(he)移(yi)動(dong)市場(chang)上(shang)(shang)的(de)失利雖然讓它(ta)感覺有(you)些不爽，但在服務器(qi)市場(chang)上(shang)(shang)的(de)節(jie)(jie)節(jie)(jie)敗退(tui)，才讓這位霸主(zhu)真正感受到(dao)了痛徹(che)心扉。

2021年2月，帕特·基辛格上任英特爾第八(ba)任CEO，經歷(li)了(le)創始人戈登-摩爾（Gordon Moore）和安迪-格魯夫（Andy Grove）的他(ta)是一位(wei)技(ji)術老兵，他(ta)曾(ceng)在英特爾推動(dong)了(le)關鍵(jian)行業技(ji)術（如 USB 和 Wi-Fi）的創造，還(huan)在酷睿(rui)和至(zhi)強系(xi)列中發揮了(le)關鍵(jian)作用。

他提出了在四年內實(shi)現五個工藝節點的目(mu)標(biao)，未來(lai)將和臺積電和三星(xing)在先(xian)進(jin)制程代(dai)工市(shi)場中展開競爭，甚至可能有機(ji)會占據較(jiao)大份額，但對(dui)于英特爾來(lai)說(shuo)，隨著(zhu)AMD和Arm的崛起，以(yi)及(ji)更多云(yun)服務廠商選擇自研芯片，過(guo)去它在服務器市(shi)場里躺著(zhu)賺錢(qian)的時光，注(zhu)定只能成為一種美好回憶。

現(xian)在的(de)(de)(de)(de)(de)英特爾，想要(yao)恢復(fu)往日的(de)(de)(de)(de)(de)輝煌，只能把希望寄托于AMD、英偉達和臺積(ji)電等對手(shou)的(de)(de)(de)(de)(de)集(ji)體衰(shuai)落(luo)，但這顯然是不可(ke)能的(de)(de)(de)(de)(de)，即便是恢復(fu)該有的(de)(de)(de)(de)(de)營收和盈利水平，也(ye)要(yao)付出更多的(de)(de)(de)(de)(de)努力才行，就像數年前(qian)的(de)(de)(de)(de)(de)AMD一(yi)(yi)樣，英特爾也(ye)要(yao)走(zou)一(yi)(yi)條漫(man)長而(er)又(you)痛(tong)苦的(de)(de)(de)(de)(de)荊棘之路。

三星和海力士

對(dui)比(bi)英特(te)爾，三星半導(dao)(dao)體的業務要顯得更加駁雜，從(cong)手(shou)機處理器到代(dai)工廠，從(cong)影像(xiang)傳感器到DRAM和NAND，龐大的帝國(guo)讓它一度超越英特(te)爾，問鼎全球半導(dao)(dao)體市場。

如今的它(ta)卻節節敗退，甚(shen)至在內存市場(chang)上險些被(bei)SK海力士所超越，這背后當然有(you)很多因素影響，如5nm制(zhi)程代工的萎靡，以及(ji)獵(lie)戶座處理(li)器設計(ji)的失敗，但最致命的恐怕還(huan)是HBM。

HBM的(de)歷(li)史(shi)可以追溯(su)到十多年前(qian)，AMD在收購ATI后，開始研究更先(xian)進的(de)顯存技術，當(dang)時(shi)的(de)GDDR陷(xian)入到了內存帶寬和功(gong)耗控制(zhi)的(de)瓶(ping)頸，而AMD就打算用(yong)先(xian)進的(de)TSV技術打造立體堆(dui)棧(zhan)式的(de)顯存顆粒，讓“平房”進化為“樓房”，通過硅(gui)中介(jie)層讓顯存連接至GPU核心，最(zui)后封裝到一起(qi)，實現顯存位寬和傳輸(shu)速度(du)的(de)提升(sheng)。

當(dang)時AMD的合(he)作伙伴就是SK海力士，經過(guo)多年研發(fa)后(hou)，兩家廠(chang)商聯合(he)推(tui)出了(le)初(chu)代HBM產(chan)品，這一(yi)產(chan)品也被(bei)定為(wei)了(le)JESD235行業標(biao)準，初(chu)代HBM的工(gong)作頻率約為(wei)1600 Mbps，漏極(ji)電(dian)源電(dian)壓為(wei)1.2V，芯(xin)片密度為(wei)2Gb（4-hi），帶寬達4096bit，遠超(chao)GDDR5的512bit。

新技術(shu)的誕生并非(fei)一帆風順，AMD后(hou)續在(zai)消費(fei)端(duan)顯(xian)(xian)卡里取消了(le)HBM顯(xian)(xian)存，而(er)海力士也沒有因為這一新內存標(biao)準而(er)獲利，此時三(san)星(xing)卻找到(dao)了(le)機(ji)會，通(tong)過這一通(tong)用的行(xing)業標(biao)準，三(san)星(xing)成為了(le)英偉達Tesla P100顯(xian)(xian)卡中HBM2顯(xian)(xian)存的供應(ying)商，這也成了(le)三(san)星(xing)的高光時刻之一。

但三星(xing)在(zai)HBM上的(de)優勢并(bing)未保(bao)持多久，2021 年 10 月，海(hai)力士(shi)率先(xian)量產(chan)HBM的(de)第四代產(chan)品(pin)——HBM3，截至(zhi)目前，SK海(hai)力士(shi)幾乎(hu)包攬了英(ying)偉達的(de)HBM3的(de)供(gong)應(ying)(ying)，曾經更快量產(chan)HBM2的(de)三星(xing)，卻還沒有明顯的(de)HBM3的(de)供(gong)應(ying)(ying)表(biao)現(xian)。

問題出在了哪里呢？

原來在(zai)HBM這項技術上，三(san)星(xing)和SK海力(li)士各自采(cai)(cai)用不同的(de)封裝方法(fa)。SK的(de)選(xuan)擇是回流焊成型底部填充 (MR-MUF) 方法(fa)，在(zai)烤箱中同時烘烤所(suo)有層，而三(san)星(xing)則采(cai)(cai)用了(le)熱壓縮(suo)非導電(dian)膜 (TC NCF) 技術，在(zai)每(mei)層之間用薄膜堆疊(die)芯片。

SK海力(li)士的 MR-MUF 技術(shu)(shu)可(ke)一次(ci)性封裝多層 DRAM。在(zai) DRAM 下方，有(you)用于(yu)連(lian)接(jie)芯(xin)片的鉛基“凸(tu)塊”，MR 技術(shu)(shu)涉及(ji)加熱并(bing)同時(shi)熔化所有(you)這些凸(tu)塊以進行(xing)焊接(jie)。連(lian)接(jie)所有(you) DRAM 后(hou)，將(jiang)執行(xing)稱為(wei) MUF 的工(gong)藝來保護芯(xin)片，通過注入一種以出色的散熱性而(er)聞(wen)名的環氧密(mi)封化合物來填充(chong)芯(xin)片之間的間隙并(bing)將(jiang)其封裝起(qi)來，然(ran)后(hou)通過施加熱量和壓力(li)使組件變硬，從而(er)完成 HBM。SK海力(li)士將(jiang)此過程描述為(wei)“像在(zai)烤箱中烘烤一樣均勻地施加熱量并(bing)一次(ci)性粘合所有(you)芯(xin)片，使其穩(wen)定而(er)高效。”

三星(xing)的(de)TC NCF被稱為“非導(dao)電薄(bo)膜熱壓”，與MR-MUF略有(you)不同。其每次堆(dui)疊芯片(pian)(pian)時，都會在各層(ceng)之間放置一層(ceng)非導(dao)電粘合(he)膜。該膜是一種聚合(he)物材(cai)料(liao)(liao)，用于(yu)將芯片(pian)(pian)彼此(ci)隔離，并(bing)保護連接點免受沖擊。三星(xing)逐步降低了 NCF 材(cai)料(liao)(liao)的(de)厚(hou)(hou)度，將其降至12層(ceng)第五代 HBM3E的(de)7微米 (μm)。三星(xing)表示(shi)：“這種方法的(de)優點是可以最大限度地減少隨著層(ceng)數增加和(he)芯片(pian)(pian)厚(hou)(hou)度減小而(er)可能發生的(de)翹曲，使(shi)其更適合(he)構(gou)建(jian)更高(gao)的(de)堆(dui)棧。”

但三星顯然出現了判斷失誤，TC NCF遠不如(ru)MR-MUF來得穩定，據海外分析師表示，三星HBM3芯片的生(sheng)產(chan)良率約(yue)為10%~20%，而SK海力士的HBM3良率可達60%~70%。

也有業(ye)內人士表示(shi)：“三(san)星似(si)乎在(zai)用于(yu) HBM 封裝的(de)(de)(de) TC-NCF 工藝中面臨(lin)產能(neng)問(wen)題，僅(jin)僅(jin)因為(wei)(wei)他們在(zai)內存半導(dao)體(ti)領域的(de)(de)(de)主導(dao)地位(wei)，就認為(wei)(wei)他們的(de)(de)(de)技術天生(sheng)就適用，這種想(xiang)法已經過時了。三(san)星的(de)(de)(de)HBM3E樣品的(de)(de)(de)功(gong)耗是SK海力(li)士的(de)(de)(de)兩倍(bei)多(duo)，這些問(wen)題導(dao)致人們批(pi)評其性能(neng)相對于(yu)功(gong)耗太低。”

而路(lu)透(tou)社在(zai)5月24日報道也(ye)印(yin)證了這些問(wen)題(ti)，據知情人士稱，三(san)星最新的(de)HBM芯(xin)片尚未通過英偉(wei)達(da)的(de)測試，原因是存在(zai)發熱和功耗問(wen)題(ti)。這些問(wen)題(ti)不僅影(ying)響到了三(san)星的(de) HBM3 芯(xin)片，也(ye)影(ying)響到這家韓國科(ke)技(ji)巨頭打(da)算在(zai)今年推(tui)向市場的(de)HBM3E 芯(xin)片。

韓國成均館(guan)大學(xue)化學(xue)工(gong)程系(xi)的(de)(de)權錫俊(jun)教授(shou)表(biao)示：“TSV（硅通孔）對于(yu)8層及(ji)以上(shang)的(de)(de)HBM封裝至關重要，但三星(xing)尚未妥善管理這一級別的(de)(de)量產質量控制，導致即(ji)使在(zai)12層時也會出現(xian)(xian)預期(qi)的(de)(de)挑戰(zhan)。”他補充道， “盡(jin)管三星(xing)的(de)(de) TC-NCF 系(xi)列(lie)在(zai)理論上(shang)隨著多層的(de)(de)改進而有(you)所改善，但實現(xian)(xian)高良率封裝仍然具有(you)挑戰(zhan)性，尤其是(shi)在(zai)更(geng)高的(de)(de)層數(shu)中。”

在市場判(pan)斷上的(de)(de)失誤(wu)很容易(yi)解決，但在技術路線上的(de)(de)失誤(wu)恐(kong)怕就沒那么容易(yi)糾正了，這也可(ke)能(neng)是(shi)(shi)三(san)星5月21日宣布半導體部門緊急換(huan)帥的(de)(de)原因之一，新(xin)任負責人全永鉉之前(qian)就處理過(guo)SDI在三(san)星Note7手機電池發熱起(qi)火(huo)的(de)(de)危機，讓有半導體經(jing)驗的(de)(de)他來當救火(huo)隊員，算是(shi)(shi)一個相對合(he)適的(de)(de)選擇。

另(ling)外，根(gen)據(ju) Merits Securities的(de)(de)數據(ju)，今年(nian)第(di)一季度，SK海力(li)士占據(ju)了(le)(le)59%的(de)(de)HBM市場(chang)份額，而三星(xing)電(dian)子(zi)占據(ju)了(le)(le) 37%，但(dan)三星(xing)占據(ju)這些市場(chang)份額并非是它的(de)(de)產品獲得了(le)(le)多(duo)(duo)少客戶的(de)(de)認可，而是海力(li)士承載不了(le)(le)太多(duo)(duo)的(de)(de)HBM訂單。

在(zai)HBM上的(de)失敗甚至導(dao)致了三星電子半導(dao)體部門內部出現了“SK海(hai)力士分包商”這(zhe)樣(yang)的(de)的(de)自嘲說法(fa)。“有很(hen)多(duo)人說，SK 海(hai)力士已(yi)經(jing)(jing)成(cheng)為 HBM 市場的(de)全球主(zhu)要供應商，而三星已(yi)經(jing)(jing)淪落(luo)到只能接受 SK 海(hai)力士無法(fa)完成(cheng)的(de)多(duo)余訂單(dan)的(de)境(jing)地，”三星 DS（設備解(jie)決方案）部門的(de)一名員(yuan)工說，“我經(jing)(jing)常和同事們談論，昔(xi)日(ri)半導(dao)體強國的(de)好(hao)日(ri)子已(yi)經(jing)(jing)一去不復返了，缺(que)乏(fa)領導(dao)力，無法(fa)解(jie)讀市場趨(qu)勢并(bing)為之做(zuo)好(hao)準備，這(zhe)才是問(wen)題所在(zai)。”

在各種有關三星(xing)HBM不(bu)行(xing)的(de)消息漫天飛的(de)當下，三星(xing)所(suo)發(fa)表的(de)“正在按計劃順利進(jin)行(xing)”的(de)聲明，多少顯(xian)得有些蒼白無力。

數十年來(lai)一直在內(nei)存中處于(yu)領導(dao)地位的(de)三星，因技術的(de)失誤(wu)而被海(hai)(hai)力(li)士拉近(jin)了差距，甚至可能(neng)因此而導(dao)致衰落，隨著它(ta)的(de)代工競爭對手臺積電與SK海(hai)(hai)力(li)士簽署HBM相關協(xie)議，開始進軍內(nei)存半導(dao)體領域，這(zhe)種(zhong)危(wei)機感顯然會進一步加重。

在(zai)AI時代(dai)里(li)， HBM這樣的(de)(de)定制(zhi)內(nei)存成(cheng)為(wei)了內(nei)存關鍵(jian)，即使(shi)是相(xiang)對弱勢的(de)(de)美光，近兩年也(ye)(ye)開(kai)足了馬力追趕，曾(ceng)經在(zai)傳統的(de)(de)DRAM和NAND里(li)叱咤風云的(de)(de)三星，卻顯得有些措(cuo)手不及(ji)，它的(de)(de)好日子(zi)也(ye)(ye)已經到頭了嗎？

寫在最后

這兩位半導(dao)體市場的(de)霸主(zhu)，一位折戟于(yu)服務器，一位敗走于(yu)HBM，倘若把時間倒(dao)退回2016年左(zuo)右，那時的(de)人(ren)們恐(kong)怕(pa)不會相信，它們竟(jing)然會犯(fan)下如此明顯的(de)錯誤。

如何挽(wan)回損失，維持(chi)自己的(de)霸(ba)主地位，這(zhe)是擺在(zai)英(ying)特爾(er)CEO和三星半(ban)導體事業部長面(mian)前的(de)現(xian)實(shi)問題，不過在(zai)解決之前，如何保證(zheng)不會重蹈(dao)覆(fu)轍，或許(xu)是兩家乃至更多半(ban)導體公司所需要(yao)思考的(de)。

最(zui)后，多說一句，如果說半導體龍頭的(de)(de)(de)位置真的(de)(de)(de)被詛咒(zhou)了(le)，我開始(shi)為最(zui)近登頂的(de)(de)(de)英(ying)偉(wei)達擔憂(you)了(le)？